陜西航晶微電子開發(fā)系列SiC MOS管產品
發(fā)布時間：
2016-03-28
SiC材料的能帶和高溫穩(wěn)定性使得它在高溫半導體元件方面有無可比擬的優(yōu)勢。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度可達500℃以上，提供工作于極端環(huán)境下的電子系統(tǒng)，在軍用武器系統(tǒng)、航空航太、石油地質勘探等領域應用廣泛。 用SiC材料制作的N-MOS管具有如下特點： 導通電阻（Ron）小→靜態(tài)損耗低； 柵電容（Ciss）和柵電荷（Qgs）小→動態(tài)損耗低，適
SiC材料的能帶和高溫穩(wěn)定性使得它在高溫半導體元件方面有無可比擬的優(yōu)勢。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度可達500℃以上，提供工作于極端環(huán)境下的電子系統(tǒng)，在軍用武器系統(tǒng)、航空航太、石油地質勘探等領域應用廣泛。
用SiC材料制作的N-MOS管具有如下特點：
導通電阻（Ron）小→靜態(tài)損耗低；
柵電容（Ciss）和柵電荷（Qgs）小→動態(tài)損耗低，適合高頻應用；
禁帶寬度大→Tj≥+300℃，BVDSS≥1200V,gfs??；
無栓鎖效應（Latch-up）；
可直接并聯(lián)應用；
抗γ輻射能力強；
可廣泛應用于：三相無刷電機驅動
寬輸入范圍Buck－DC/DC
高頻DC/AC驅動
高頻發(fā)射單元
針對目前國內外市場需求，陜西航晶微電子有限公司，開發(fā)出系列SiC器件，填補了國內在這方面的空白。
1.HJ1200-080：1200V/35A/TO-258封裝
2.HJ1200-160：1200V/20A/TO-258封裝
?。筛鶕脩粢蠹庸こ蒚O-3、SMD-2封裝）
3.HJ12B28A：1200V/28A三相無刷電機驅動器
4.HJ12B48A：1200V/48A三相無刷電機驅動器
SiC–MOS功率管在高溫下應用存在如下問題：
1.正向跨導（gfs）本身就小，高溫下還要下降；
2.閾值電壓（VGS（th））高溫下降很快，致使0V很難關斷，或者關不斷。
因此驅動SiC-MOS功率管就必須具備:
1.適當提高開啟管子時加到柵－源的電壓VGS以減小導通電阻（Ron），進而減少靜態(tài)損耗；
2.管斷管子時在柵－源加負偏壓，以求徹底管斷管子；
3.增大對柵－源充/放電電流，以減小開關損耗，進而減少動態(tài)損耗。
航晶微電子的專利產品HJ393全面解決了SiC-MOS管的驅動問題。它具有以下特點：自帶DC/DC完成+5V轉+18V和-5V
輸入/輸出電隔離：
1400V直流隔離電壓；
CMTI≥50KV/µs；
輸出峰值驅動電流≥±1.5A，tr/tf≤50ns；
可接收0~100%占空比的PWM信號；
可實現(xiàn)SiC-MOS/IGBT的負電壓管斷；
fmax≥1MHz，tw≥100ns；
小體積：22x22x5.5mm。
關鍵詞：
微電子,驅動,1200v,sic,高溫,dc,損耗,應用,電壓,高頻
下一頁
下一頁：
推薦新聞
2024-07-09
2024-04-01
2024-01-11
2023-08-12
2023-06-12
