HJ393A/B/C耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅(qū)動(dòng)器
發(fā)布時(shí)間：
2020-05-11
航晶微電子研發(fā)的HJ393A/B/C耐溫溫SIC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器以其優(yōu)異的耐壓、導(dǎo)通電阻結(jié)溫和抗電遷移能力，使之特別適應(yīng)惡劣環(huán)境，且較好的解決了第三代SIC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器的缺陷。
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